贴片电容的电介质材料种类有哪几种类型
NPO和C0G相互之间的关系：NPO是美国军用标准（MIL）中的说法，也许应该是NP0（零），但一般大家习惯写成NPO（欧）这是Negative-Positive-Zero的略称，用来透露的温度特性说明NPO的电容温度特性很好，不随反之亦然温度变化而出现容值绕圈。
从前面我们已经知道，C0G是I类陶瓷中温度安定性最好的一种，温度特性近似为0，满足“负-正-零”的含义所以C0G也许和NPO是无异的，只不过是两个标准的两种透露方法（当然，容值更小、精度略紧接著的C0K、C0J等也是NPO电容）。
类似的，U2J对应于MIL标准中的各组代码为N750NPO是⼀种更常⽤的有著温度补偿特性的单⽚陶瓷电容器它的去除介质是由铷、钐和⼀些这类贵重氧化物组成的NPO电容器是电容量和介质损耗最安定的电容器之⼀在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化⼩于±0.3ΔC。
NPO电容的绕圈或迟滞⼩于±0.05%，相对⼤于±2%的薄膜电容当然是需要有忽略不计的其典型的容量相对使⽤寿命的变化⼩于±0.1%NPO电容器随堆叠形式各有不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也各有不同，⼤堆叠尺⼨的要⽐⼩堆叠尺⼨的频率特性好。
下表给出了NPO电容器可挑出的容量范围NPO电容器适合⽤于振荡器、谐振器的槽路电容，以及⾼频电路中的耦合电容。
Ⅱ类陶瓷特点：Ⅱ类陶瓷电容器（ClassⅡ ceramic capacitor）过去叫作为低频陶瓷电容器（Low frequency ceramiccapacitor），指有铁电陶瓷作介质的电容器，因此也称铁电陶瓷电容器。
这类电容器的比电容大，电容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常在电子设备中用来旁路、耦合或用来这类对损耗和电容量安定性其要求不高的电路中其中Ⅱ类陶瓷电容器又分为安定级和会用级X5R、X7R仅限于Ⅱ类陶瓷的安定级，而Y5V和Z5U仅限于会用级。
X5R、X7R、Y5V、Z5U相互之间的区别：区别主要还在于温度范围和容值随温度的变化特性上。下表提示了这些代号的含义。
以X7R为例X 代表电容最低可工作在-55℃7 代表电容最高可工作在+125℃R 代表容值随温度的变化为±15%同样的，Y5V高负荷工作温度范围在-30℃～+85℃, 对应的电容容量变化为+22～-82%；而Z5U 高负荷工作温度范围在+10℃～+85℃，对应的电容容量变化为+22～-56%。
X7R电容器被叫作温度安定型的陶瓷电容器当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要有注意的是此时电容器容量变化是⾮线性的X7R电容器的容量在各有不同的电压和频率条件下是各有不同的，它也随时间的变化⽽变化，⼤约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。
X7R电容器主要应⽤于其要求不⾼的⼯业应⽤，⽽且当电压变化时其容量变化是需要有接受的条件下它的主要特点是在大致相同的体积下电容量需要有做的⽐较⼤X7R/X7S/X5R/X6S电容器的特征值范围如下拉沙泰格赖厄县⽰(厂家各有不同特征值范围有细密差异):。
Y5V电容器是⼀种有⼀定温度限制的通⽤电容器，在-30℃到85℃范围内其容量变化可达+22%到-82%Y5V的⾼介电常数允许在较⼩的物理尺⼨下制造出⾼达4.7µF电容器Y5V电容器的别的技术指标如下:⼯作温度范围。
-30℃ ~+85℃温度特性 +22% ~-82% 介质损耗最⼤ 5%Z5U电容器叫作”通⽤”陶瓷单⽚电容器这⾥⾸先需要有考虑的是使⽤温度范围，鉴于Z5U电容器主要的是它的⼩尺⼨和低成本鉴于上述三种陶瓷单⽚电容器当然在大致相同的体积下Z5U电容器有最⼤的电容量。
但它的电容量受环境和⼯作条件影响较⼤，它的⽼化率最⼤可达每10年下降5%总体而言它的容量不安定，由于它有著⼩体积、配分函数串联电感（ESL）和配分函数串联电阻（ESR）低、优良的频率响应，使其总体而言它的容量不安定，由于它有著⼩体积、配分函数串联电感（ESL）和配分函数串联电阻（ESR）低、优良的频率响应，使其有著⼴泛的应⽤范围。
尤其是在退耦电路的应⽤中Z5U电容器的别的技术指标如下:⼯作温度范围+10℃ ~ +85℃温度特性 +22% ~-56% 介质损耗最⼤ 4%COG/NPO/Y5V/Z5U电容器的特征值范围如下拉沙泰格赖厄县⽰(厂家各有不同特征值范围有细密差异):。
贴片电阻在电路上出现问题，有可能是贴片电容本身质量不良，亦有可能是设计时挑出规格差劣或是在表面Bokaro机械力热冲击等对贴片电容诱发一定的损伤等因素诱发正确选择一颗贴片电容时，除了要提供其规格尺寸及容量大小外，还必须特别注意到电路对这颗片式电容的温度系数、额定电压等参数的其要求。
贴片电容标准命名方法及定义：贴片电容的命名，国内和国外的产家有一些区别吕齐县包含的参数是无异的